在光激励发光元件的碳素开发方面，石墨烯比CNT领先一步，新产而且今后性能有望大幅提高。业实用化
芬兰诺基亚2012年8月公开了采用石墨烯的大潮代光敏元件（PD）的专利（图9）。将石墨烯FET用于像素的光激光元感器前置放大器。采用了发挥石墨烯光吸收率低的碳素特点层积RGB像素的构造。新产
碳素新产业（实用化大潮之下：光激励发光元件，取代CMOS传感器）
光激励发光元件：还可取代CMOS传感器
在光激励发光元件的碳素开发方面，石墨烯比CNT领先一步，新产而且今后性能有望大幅提高。业实用化
芬兰诺基亚2012年8月公开了采用石墨烯的大潮代光敏元件（PD）的专利（图9）。将石墨烯FET用于像素的光激光元感器前置放大器。采用了发挥石墨烯光吸收率低的碳素特点层积RGB像素的构造。新产
在光激励发光元件的碳素开发方面，石墨烯比CNT领先一步，新产而且今后性能有望大幅提高。业实用化
芬兰诺基亚2012年8月公开了采用石墨烯的大潮代光敏元件（PD）的专利（图9）。将石墨烯FET用于像素的光激光元感器前置放大器。采用了发挥石墨烯光吸收率低的碳素特点层积RGB像素的构造。新产